壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,品類豐富
老化機(jī)理:
曾經(jīng)被認(rèn)為是老化的起因的有電子陷阱,偶極子轉(zhuǎn)向,氧脫附和離子遷移,目前能證實(shí)的只有填隙鋅離子遷移。一般認(rèn)為老化是晶界現(xiàn)象,是由于耗盡層內(nèi)離子遷移,而Zni是主要的遷移離子。
由于壓敏電阻型號(hào)太多,每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一,想了解更多壓敏電阻的信息,請(qǐng)撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系,謝謝!
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峰值能量Em
峰值能量Em是指壓敏電阻能夠耗散的規(guī)定波形的浪涌電流或脈沖電流的能量。峰值能量是產(chǎn)品能夠承受規(guī)定次數(shù)的
2ms方波或10/1000us脈沖電流峰值,這是用戶選擇防護(hù)操作電壓用ZnO壓敏電阻器時(shí)的重要參考值。
源林電子的壓敏電阻廣受贊譽(yù),可靠性高、性價(jià)比高,具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,想了解更多壓敏電阻資料,歡迎來(lái)電咨詢!
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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理
交流作用下。在正半周時(shí),假設(shè)右側(cè)為正極性,電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上,使右側(cè)的Zni向晶界遷移,而左側(cè)所加電壓很低,Zn
i向晶粒內(nèi)遷移不大;在負(fù)半周,電壓主要加在左側(cè),使左側(cè)Zni向晶界遷移,右側(cè)這時(shí)所加電壓很低,Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大??偟慕Y(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。
源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器,自有研發(fā)團(tuán)隊(duì),廠家直銷!
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